厚膜铂电阻基片由陶瓷基板、铂浆厚膜电阻层、玻璃保护层烧结制成,广泛用于工业温度传感探头。快速温变循环下,陶瓷基体、铂金属膜、玻璃保护层热胀冷缩不一致,容易出现膜层开裂、剥离、电阻温漂偏移。本试验依据 GB/T2423.22,采用 10℃/min 快速温变箱模拟工况温度波动,筛选厚膜层隐性缺陷,考核铂电阻温阻特性稳定性。
厚膜铂电阻基片、烧结型铂敏感芯片、玻璃钝化厚膜测温基片
10℃/min 快速温变箱、多路温度采集仪、高精度电阻测试仪、金相显微镜
GB/T2423.22-2012 环境试验 试验 N:温度变化;JB/T 8622 工业铂热电阻技术条件
温度区间:-50℃~130℃
升降温速率:10℃/min
高温驻留:15 min;低温驻留:15 min
循环次数:60 次
样品区域温场均匀度≤±2℃
厚膜基片单层平铺,严禁堆叠挤压,片与片之间预留气流通道;
热电偶贴合在陶瓷基片厚膜区域,以基片本体温度作为判定基准;
厚膜电阻面避开出风口直吹,防止局部瞬时温差过大。
设备自检,核验满载升降温速率、超温保护功能;
初始检测:室温电阻值、R0 基线、显微外观检查;
样品上架布点,启动 10℃/min 快温变程序连续运行;
全程记录温度曲线,监控实际升降温速率是否达标;
循环结束室温恢复 30min;
取出样品复测电阻值,金相观察厚膜铂层、玻璃钝化层开裂、剥离缺陷。
陶瓷基板无崩裂,厚膜铂层、玻璃保护层无裂纹、起皮;
0℃电阻 R0 偏移量、温度系数满足铂电阻精度等级要求;
无电阻漂移、断路。
陶瓷基底脆性强,拿取样品防止磕碰;
批量装载时热沉大,必须提前验证满载下速率是否稳定维持 10℃/min;
试验前后电阻测试环境温度保持一致,减少环境带来的测量误差。

